12月16日，2024年上任的ASML首席执行官ChristopheFouquet在接受采访时明确表示，ASML销售给中国客户的光刻机设备，较最新的高NA设备整整落后八代。这一表态再次凸显中国在高端光刻机获取上的困境。值得关注的是，中国曾是ASML最大的市场，但目前不仅先进的EUV光刻机出口中国受阻，就连相对落后的DUV光刻机，其对华出口也遭到百般阻挠。据荷兰国家广播公司（NOS）报道，尽管ASM
2月14日晚间，上海新阳发布公告称，公司拟与上海化学工业区管委会、上海化学工业区发展有限公司签订《投资意向协议》，变更全资子公司上海芯刻微材料技术有限责任公司注册于上海化学工业区，并启动位于上海化学工业区的项目建设。据公告披露，项目主要开发集成电路关键工艺材料，总投资额约5.8亿元，占地约104亩。预计年产500吨I线、KrF、ArF干/湿法光刻胶；年产10000吨光刻胶稀释剂；年产5000吨高选
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2月14日晚间，上海新阳发布公告称，公司拟与上海化学工业区管委会、上海化学工业区发展有限公司签订《投资意向协议》，变更全资子公司上海芯刻微材料技术有限责任公司注册于上海化学工业区，并启动位于上海化学工业区的项目建设。据公告披露，项目主要开发集成电路关键工艺材料，总投资额约5.8亿元，占地约104亩。预计年产500吨I线、KrF、ArF干/湿法光刻胶；年产10000吨光刻胶稀释剂；年产5000吨高选
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据外媒消息，近日，三星电子将本土公司东进世美肯半导体开发的用于高科技工艺的极紫外(EUV)光刻胶引入其量产生产线，据悉，这是三星进行光刻胶本土量产的首次尝试，此前，韩国的光刻胶需求高度依赖于日本及从其它国家进口。公开资料显示，光刻胶是光刻工艺中的关键材料，是指经过紫外光、深紫外光、电子束、离子束、X射线等光照或辐射后，溶解度发生变化的耐蚀刻薄膜材料，主要应用于积体电路和分立器件的细微图形加工。外媒
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近日，据国家知识产权局官网消息，华为技术有限公司于11月15日公布了一项于光刻技术相关的专利，专利申请号为202110524685X。集成电路制造中，光刻覆盖了微纳图形的转移、加工和形成环节，决定着集成电路晶圆上电路的特征尺寸和芯片内晶体管的数量，是集成电路制造的关键技术之一。随着半导体工艺向7nm及以下节点的推进，极紫外(extremeultraviolet，EUV)光刻成为首选的光刻技术。相关
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公开消息显示，近日，华为公布了一项新专利，展示了一种《反射镜、光刻装置及其控制方法》，专利申请号为CN202110524685.X。据悉，该专利提供了一种反射镜、光刻装置及其控制方法，而这种方法便能够解决相干光因形成固定的干涉图样而无法匀光的问题，在极紫外光的光刻装置基础上进行了优化，进而达到匀光的目的。Source：华为该光刻装置包括相干光源1、反射镜2(也可以称为去相干镜)、照明系统3。其中，
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光刻工艺是半导体制造中最为重要的工艺步骤之一。主要作用是将掩膜板上的图形复制到硅片上，为下一步进行刻蚀或者离子注入工序做好准备。光刻的成本约为整个硅片制造工艺的1/3，耗费时间约占整个硅片工艺的40～60%。光刻机是生产线上最贵的机台，5～15百万美元/台。主要是贵在成像系统（由15～20个直径为200～300mm的透镜组成）和定位系统（定位精度小于10nm）。其折旧速度非常快，大约3～9万人民币
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对于芯片厂商而言，光刻机显得至关重要，而ASML也在积极布局新的技术。据外媒报道称，截至2022年第一季度，ASML已出货136个EUV系统。按照官方的说法，新型号的EUV光刻机系统NXE:3600D将能达到93%的可用性，这将让其进一步接近DUV光刻机(95%的可用性)。数据显示，NXE:3600D系统每小时可生产160个晶圆(wph)，速度为30mJ/cm，这比NXE:3400C高18%。二正
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